光譜分析儀是一種用于測量發光體的光譜，即發光體本身的指標參數的儀器。廣泛應用于科研、教學、工業等多領域。CNI提供、、軟件分析等產品。
光譜分析儀的優點：
1.采樣方式靈活，對于稀有和貴重金屬的檢測和分析可以節約取樣帶來的損耗。
2.測試速率高，可設定多通道瞬間多點采集，并通過計算器實時輸出。
3.對于一些機械零件可以做到無損檢測，而不破壞樣品，便于進行無損檢測。
4.分析速度較快，比較適用做爐前分析或現場分析，從而達到快速檢測。
5.分析結果的準確性是建立在化學分析標樣的基礎上。
光譜分析儀的缺點：
1.對于非金屬和界于金屬和非金屬之間的元素很難做到準確檢測。
2.不是原始方法，不能作為仲裁分析方法，檢測結果不能做為認證依據。
3.受各企業產品相對壟斷的因素，購買和維護成本都比較高，性價比較低。
4.需要大量代表性樣品進行化學分析建模，對于小批量樣品檢測顯然不切實際。
5.模型需要不新，在儀器發生變化或者標準樣品發生變化時，模型也要變化。
6.建模成本很高，素分析儀測試成本也就比較大了，當然對于大量樣品檢測時，測試成本會下降。
7.易受光學系統參數等外部或內部因素影響，經常出現曲線非線性問題，對檢測結果的準確度影響較大。

發射光譜分析是根據被測原子或分子在激發狀態下發射的特征光譜的強度計算其含量。

電子躍遷到較高能級以后處于激發態，但激發態電子是不穩定的，大約經過10-8秒以后，激發態電子將返回基態或其它較低能級，并將電子躍遷時所吸收的能量以光的形式釋放出去，這個過程稱原子發射光譜。可見原子吸收光譜過程吸收能量，而原子發射光譜過程則釋放能量。

技術性能及指標

1.   分光室設計

  帕邢-龍格結構,羅蘭圓直徑400mm

  波長范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統，可保證真空泵運行時間小于5%

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發光源

  全數字等離子火花光源技術

  高能預燃技術 (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發臺

  3mm樣品臺分析間隙

  噴射電極技術

  設計的氣路系統，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機功率70W
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