發(fā)射光譜分析是根據(jù)被測(cè)原子或分子在激發(fā)狀態(tài)下發(fā)射的特征光譜的強(qiáng)度計(jì)算其含量。

光譜分析儀的分析原理是將光源出的待測(cè)元素的特征光譜通過樣品的蒸汽中待測(cè)元素的基態(tài)原子所吸收，由發(fā)射光譜被減弱的程度，進(jìn)而求得樣品中待測(cè)元素的含量。


任何元素的原子都是由原子核和繞核運(yùn)動(dòng)的電子組成的，原子核外電子按其能量的高低分層分布而形成不同的能級(jí)，因此，一個(gè)原子核可以具有多種能級(jí)狀態(tài)。能量低的能級(jí)狀態(tài)稱為基態(tài)能級(jí)（E0=0），其余能級(jí)稱為激發(fā)態(tài)能級(jí)，而能低的激發(fā)態(tài)則稱為激發(fā)態(tài)。正常情況下，原子處于基態(tài)，核外電子在各自能量低的軌道上運(yùn)動(dòng)。如果將一定外界能量如光能提供給該基態(tài)原子，當(dāng)外界光能量E恰好等于該基態(tài)原子中基態(tài)和某一較高能級(jí)之間的能級(jí)差E時(shí)，該原子將吸收這一特征波長(zhǎng)的光，外層電子由基態(tài)躍遷到相應(yīng)的激發(fā)態(tài)，而產(chǎn)生原子吸收光譜。電子躍遷到較高能級(jí)以后處于激發(fā)態(tài)，但激發(fā)態(tài)電子是不穩(wěn)定的，大約經(jīng)過10^-8秒以后，激發(fā)態(tài)電子將返回基態(tài)或其它較低能級(jí)，并將電子躍遷時(shí)所吸收的能量以光的形式釋放出去，這個(gè)過程稱原子發(fā)射光譜。可見原子吸收光譜過程吸收能量，而原子發(fā)射光譜過程則釋放能量。
光譜分析就是從識(shí)別這些元素的特征光譜來(lái)鑒別元素的存在(定性分析)，而這些光譜線的強(qiáng)度又與試樣中該元素的含量有關(guān)，因此又可利用這些譜線的強(qiáng)度來(lái)測(cè)定元素的含量(定量分析)。這就是發(fā)射光譜分析的基本依據(jù)。

光譜分析儀是一種用于測(cè)量發(fā)光體的光譜，即發(fā)光體本身的指標(biāo)參數(shù)的儀器。廣泛應(yīng)用于科研、教學(xué)、工業(yè)等多領(lǐng)域。CNI提供、、軟件分析等產(chǎn)品。
光譜分析儀的優(yōu)點(diǎn)：
1.采樣方式靈活，對(duì)于稀有和貴重金屬的檢測(cè)和分析可以節(jié)約取樣帶來(lái)的損耗。
2.測(cè)試速率高，可設(shè)定多通道瞬間多點(diǎn)采集，并通過計(jì)算器實(shí)時(shí)輸出。
3.對(duì)于一些機(jī)械零件可以做到無(wú)損檢測(cè)，而不破壞樣品，便于進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)。
4.分析速度較快，比較適用做爐前分析或現(xiàn)場(chǎng)分析，從而達(dá)到快速檢測(cè)。
5.分析結(jié)果的準(zhǔn)確性是建立在化學(xué)分析標(biāo)樣的基礎(chǔ)上。
光譜分析儀的缺點(diǎn)：
1.對(duì)于非金屬和界于金屬和非金屬之間的元素很難做到準(zhǔn)確檢測(cè)。
2.不是原始方法，不能作為仲裁分析方法，檢測(cè)結(jié)果不能做為認(rèn)證依據(jù)。
3.受各企業(yè)產(chǎn)品相對(duì)壟斷的因素，購(gòu)買和維護(hù)成本都比較高，性價(jià)比較低。
4.需要大量代表性樣品進(jìn)行化學(xué)分析建模，對(duì)于小批量樣品檢測(cè)顯然不切實(shí)際。
5.模型需要不新，在儀器發(fā)生變化或者標(biāo)準(zhǔn)樣品發(fā)生變化時(shí)，模型也要變化。
6.建模成本很高，素分析儀測(cè)試成本也就比較大了，當(dāng)然對(duì)于大量樣品檢測(cè)時(shí)，測(cè)試成本會(huì)下降。
7.易受光學(xué)系統(tǒng)參數(shù)等外部或內(nèi)部因素影響，經(jīng)常出現(xiàn)曲線非線性問題，對(duì)檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確度影響較大。

技術(shù)性能及指標(biāo)

1.   分光室設(shè)計(jì)

  帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

  波長(zhǎng)范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5%

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級(jí)光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測(cè)器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時(shí)間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

  高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺(tái)

  3mm樣品臺(tái)分析間隙

  噴射電極技術(shù)

  設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長(zhǎng)900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機(jī)功率70W
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